储存装置 --RAM 和 ROM的分类--表格对比

尽管记忆体种类繁多，但大致上以RAM与ROM做为区隔。RAM的全名为Random Access Memory，称作『随机存取记忆体』，顾名思义，其特性在于内部资料可任意读写，现阶段主流的DDR SDRAM、DDR2 SDRAM等都是属于此类，用来存放由硬碟载入的程式、资料，以供CPU运算处理。
至于ROM则是Read Only Memory的缩写，也就是『唯读记忆体』。ROM的特色在于资料一经写入即无法修改，除非透过专属的方式（如：EPROM以紫外线照射）才能达成，因此适合存放重要且不能被删除的资料，早期常出现在主机板/介面卡的BIOS上，现今应用已大幅缩减。

ROM (Read Only Memory)唯读记忆体:关掉电源后，储存在内的资料也不会流失

ROM根据制造及写入资料方法的不同可分为：Factory Mask ROM（光罩式唯读记忆体）、PROM/OTP（Programmable ROM，可程式唯读记忆体）、EPROM（Erasable PROM，可擦拭唯读记忆体）、EEPROM（Electrical Erase PROM，电气擦拭唯读记忆体）、Flash Memory（快闪记忆体)。

快闪记忆体（Flash Memory或Flash ROM:是目前最新的ROM形式记忆体之一，其内部材料已和最早的ROM有极大差异。相信大家还记得，所谓的ROM就是指唯读记忆体，是只能读取资料而不能再进行写入的记忆装置，但Flash Memory和ROM不同的是它可以写入，但又不会轻易地让资料从记忆体中流失。

NAND型态快闪记忆体

NAND型态快闪记忆体（Flash Memory）是由东芝（Toshiba）所发展出来的快闪记忆体架构，读写速度较其他型态之快闪记忆体较慢，但它因具有较小记忆单元（ Memory Cell）面积，所以在相同的记忆体密度下，成本会较NOR型态之快闪记忆体来得低，因此它也适用于更高容量的产品开发及大量储存装置上，可以用来取代磁碟机在可携式产品上的地位，甚至作为消费性电子产品的资料储存机制。

NAND记忆体的基本组织可从「分页(page)」这个最小的资料单元谈起。一个分 页是可写入的最小单元，可储存512位元组或2K位元组的资料。第二大的单元为「区块(Block)」；一个区块是NAND最小的删除单元，含有32或64个分页。更进一步的单元为「区域(Zone)」；区域是Smart Media规格所制定的逻辑结构，每个区域含有1024个区块。因此，一个128M位元组的NAND包含：

8个区域*每个区域含有1024个区块*每个区块32个分页*每个分页512个位元组=128M位元

NAND快闪记忆体仅能在分页下进行写入动作，可是以区块为单位作删除作业，而这种限制对资料管理产生设计上的挑战。

以下范例将介绍在读写过程中NAND快闪资料的管理。假设首次资料传输的写入指令将512位元组的资料写入区块1中的LBA 0(逻辑区块位址)，为完成这项步骤，快闪控制晶片必须先完全删除记忆体区块(16K位元组)，然后才能写入512位元组。这个限制在写入未使用的区块时不会产生任何 题，但在写入整个区块时就会衍生出完全不同的问题。

例如，假设第二次写入需要将一份512位元组资料写至LBA 1，也就是位于区块1旁的下一个LBA。由于整个区块必须先删除后才能写入资料，因此之前写入至LBA 0(在首次写入过程)的资料必须在删除前先储存在某个位址。Smart Media针对这个问题提出的解决方案是在新资料传来时，就立即搬移旧资料，流程如图4所示。

控制晶片在写入新资料时，会从旧区块(在这个范例中就是区块1)将资料复制至邻近的区块。当复制完成时，旧区块就会被消除，并能储存新资料。

下一个复杂流程就是追踪所有资料的去向。由于控制晶片在复制时需从区块0中LBA0移动资料，因此需以一个名为逻辑与实体对映表(logical to physical table)的表格追踪实体快闪记忆体的位址以及相对应的LBA 。当LBA项目被使用至少一次后，总是会被指定至快闪记忆体中的某处。当快闪记忆体被使用一段时间后，就没有储存单元会标示为「未指定」。

NOR型态的快闪记忆体

NOR型态的快闪记忆体（Flash Memory）是快闪记忆体家族的三大主流之一。NOR型态的Flash Memory是由英特尔（Intel）提倡的架构，读取速度较快，而且可在单位区块（Block）上进行指令程式的读取与写入，其特性为高电压、长时间与大面积的消除动作。此类型的产品，大都应用在程式指令的储存与读取/写入以及PC Card记忆卡。可执行

约在1998年左右，Intel又发表了多位准（Multi Level Cell）技术的Flash Memory，我们称为StrataFlash，这类记忆容量大幅提升，更可做资料储存，扩大了NOR型态技术的市场价值及应用领域。

NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。

EENOR型态快闪记忆体

EENOR型态的快闪记忆体（Flash Memory）乃针对NOR型态之快闪记忆体加以改良，使其在相同记忆单元（Memory Cell）面积下，能够在更小的单位区块上进行读取/写入的动作，不但可提升整体系统的运作速度，更可以满足低电压、低功率的运作要求。可执行